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HMC344ALP3E是一個款網絡帶寬、非散射式、單刀四擲(SP4T)電電開關，用到砷化鎵(GaAs)合金半導體設備場滯后效應結晶體管(MESFET)技藝產生。該電電開關具備著高底部防護隔離、低進到這一領域耗用和片內端接底部防護隔離表層。 該管控開關選擇?5 V至?3 V負電源開關相電壓降(VEE)工作任務，想要幾個負道理管控相電壓降。 HMC344ALP3E內嵌片內二進制2:4錢路解碼數據器，根據兩只思維方法填寫錢路提拱思維方法掌握。 HMC344ALP3E采取3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝，工作任務平率范圍圖為0.1 GHz至8 GHz。 若您有其他疑惑，請去聯系大家立維創展，公司大家會盡最大化拼命為你提供項目。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC344ALP3E HMC344ALP3ETR	0.1GHz至8 GHz、GaAs、非反射式SP4T開關	現貨	98

HMC344ALP3E操作

• 寬帶電信系統
• 光纖產品
• 開關濾波器組

• 低于8 GHz的無線基礎設施

HMC344ALP3E優勢和特點

• 寬帶頻率范圍：0.1 GHz至8 GHz
• 非反射式50 Ω設計
• 低插入損耗：1.7 dB（6 GHz時)
• 高隔離度：36 dB（6 GHz時）
• 高輸入線性度：250 MHz至8 GHz
  • P1dB：28 dBm（典型值）
  • IP3：44 dBm（典型值）
• 集成式2:4線路解碼器
• 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝
• ESD HBM額定值：250 V（1A級）

HMC344A支持(chi)軟件防務(wu)和航班航天工程技術應用（AQEC標準規范）

• 下載HMC344ATCPZ-EP數據手冊
• 軍用溫度范圍（?55℃至+125℃）
• 受控制造基線
• 唯一封裝/測試廠
• 產品變更通知
• 認證數據可應要求提供

HMC344ALP3E結構圖