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HMC219B都是款超小形代用雙和平混頻器，選取8引腳超小形塑膠表貼封裝，帶露出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單處理芯片徽波集成型電源線路(MMIC)混頻器選取砷化鎵(GaAs)輕金屬半導體材料場反應多晶體管(MESFET)生產工藝手工制造，沒有間接部件或匹配好電源線路。該電子元器件要用作頻率面積為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流交流變頻空調器、下直流交流變頻空調器、雙相配制器或相位較好器。 立維創展HMC219B選擇路過優化體統的巴倫組成，保證卓越的本振(LO)至頻射(RF)屏蔽防曬及LO至中頻(IF)屏蔽防曬性能參數方面。貼合RoHS準則的HMC219B不能不線焊，與高容積表貼研制的技術兼容。MMIC性能參數方面平衡可提升體統做工作成功率并保證 貼合HiperLAN、U-NII和ISM政策法規追求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE用途

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖