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HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驅動放大器驅(qu)動LO的(de)I/Q混頻(pin)器(qi)(qi)(qi)。 還提供IF1和(he)IF2混頻(pin)器(qi)(qi)(qi)輸入，需(xu)(xu)通過外部(bu)90°混合選擇(ze)所需(xu)(xu)的(de)邊(bian)帶(dai)(dai)。 I/Q混頻(pin)器(qi)(qi)(qi)拓撲結構則降(jiang)低了干擾邊(bian)帶(dai)(dai)濾波(bo)要(yao)求(qiu)。 立(li)維(wei)創展HMC7912LP5E為混合型單邊(bian)帶(dai)(dai)上變(bian)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)的(de)小型替代(dai)器(qi)(qi)(qi)件，它(ta)無需(xu)(xu)線(xian)焊(han)，可以使用表貼制造技術(shu)。

HMC7912LP5E應用

• 點對點和點對多點無線電
• 軍用雷達、EW和ELINT
• 衛星通信

• 傳感器

HMC7912LP5E優勢和特點

• 轉換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：4 dBm（典型值）
• 輸出三階交調截點(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
• 中頻(IF)輸入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
• RF回波損耗：15 dB（典型值）
• LO回波損耗：15 dB（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

HMC7912LP5E結構圖