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微波射頻元電子器件
AM005WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高度為0.5mm。它都是個瓷磚打包封裝，做工作幾率能夠達到12ghz。BI題材所用特定設計的陶瓷圖片封裝類型，所用鑲入式安轉行為，代有拉伸（BI-G）或直（BI）電纜線。打包封裝底下的卡箍并且用來作為直流電壓接地系統極、微波射頻接地系統極和熱區域。此地方非常符合RoHS。
功能
高達mg12GHz的高頻率(lv)實際操作(zuo)
增益(yi)控制=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz
外表(biao)貼(tie)裝
有效率(lv)排(pai)熱(re)的低(di)層
app
高(gao)動(dong)向推送器
蜂窩無線(xian)wifi移動信號塔
移動寬帶和(he)窄(zhai)帶變成器
統計
測(ce)試(shi)英文(wen)實驗儀器
中(zhong)國軍事
擾(rao)亂器