AM012WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總:寬度為1.25毫米左右。它是在一些衛浴陶瓷雙包使用多達10千兆赫。BI系列產品用特出方案的瓷器裝封,用放入式進行安裝途徑,代有曲折(BI-G)或直(BI)輸電線。封口側面的蝶閥法蘭同時用在電流保護跨接、rf射頻保護跨接和熱入口。此組成部分包含RoHS。
本質特征
高至10GHz的(de)低(di)頻進行
增益控制=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極(ji)=55%@2.8ghz
漆層(ceng)貼裝(zhuang)
管(guan)用cpu散熱的(de)框架(jia)
應用領(ling)域
高(gao)動向接收到器
蜂窩wifi手機(ji)通(tong)信基(ji)站
聯通寬帶和窄帶擴大器
聲(sheng)納
自(zi)測儀(yi)器設備
國(guo)防
不干擾器
繁體中文
微波射頻元電器元件