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AM025WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總凈寬為2.5mm。它就是一個瓷質封裝，工作上頻次敢達8千兆赫。BI款型按照特異設置的衛浴陶瓷二極管封裝，按照鑲入式裝設行為，擁有彎折（BI-G）或直（BI）絕緣線。封裝類型下面的法蘭片一同用來直流電的跨接、微波射頻的跨接和熱清算通道。此這部分貼合RoHS。

表(biao)現

可以(yi)達到8GHz的高頻使用

增加(jia)收益=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極(ji)=56%@3 GHz

面貼裝

有郊水(shui)冷的低層

技術(shu)應用

高最新考(kao)慮器(qi)

蜂窩無線網通信基站(zhan)

移動寬帶和(he)窄帶增加器

預警雷達

測試圖片議器

軍(jun)事科學

打擾(rao)器