Cree機構的CMPA2560025F也是種應用于氮化鎵(GaN)高電子設備技術遷址率尖晶石管(HEMT)的單面紅外光集合電路板(MMIC)。與硅或砷化鎵不同之處,GaN具更強的穿透額定電壓、更強的飽滿電子設備技術漂移網絡速度和更強的熱導率。與Si和GaAs尖晶石管不同之處,GaN-hemt還具更強的工作功率黏度和更寬的速率。這一MMIC包涵一些多級影響搭配縮放器,使是寬的速率能夠在一些小的占地面的大小的上緊封裝類型,具銅鎢散熱管器。
中文名字
紅外光元電子元器件封裝