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二極管底座SemiGen
二極管底座SemiGen
更重要性能指標

  • 底座頂部表面邊緣(yuan)上的金屬(shu)焊盤有助于滿足二極管(guan)邊緣(yuan)安(an)裝要(yao)求(qiu)，邊緣(yuan)間(jian)隙幾何形狀低至 5 微米(mi)。

  • 在 Ti/Pt/Au 角處焊盤上的 Au/Sn 選定性沉淀消掉了對小焊料預設件的處置意愿，并規避了要素基材角處部位不確定性焊料翻卷的危險 。
  • 定貨過渡期 2-4周

品牌：SemiGen

軟件商品詳情解紹

Diode Submounts

Dielectric
Material		Thermal
Conductivity
(w/mk)		TCE
(PPM/°C)		Dielectric
Constant		Comment
Alumina (99.6%)26 – 277.29.9"Good Thermal Compatibility with GaAs-Based Devices"
Aluminum Nitride170 – 2104.68.9"Good Thermal Compatibility with Si-Based Devices"
Beryllium Oxide260 – 2908.56.7"Good Thermal Compatibility with GaAs-Based Devices Superior Thermal Performance"
 

Standard Submount Metalizations

MetallizationThicknessComments
Ti/Pt/Au1K? / 1.5 K? / 5K?Best/Universal Choice
Ti /Ni/Au1K? / 1.5 K? / 10K? Min.Ni Diffusion above 350 °C
Au/Sn (80/20)3 to 5 micronsChip Preform Replacement