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所述CHV1203-FAB是低相位(wei)環(huan)境(jing)噪聲(sheng)源(yuan)的(de)S股票波段HBT壓控(kong)震蕩器積分(fen)兌換負熱敏(min)電阻器，變(bian)容(rong)整流二極管和緩沖(chong)圖像運放(fang)電路。在(zai)100kHz偏移(yi)量下，它(ta)可提拱108dBc / Hz的(de)精(jing)湛相位(wei)環(huan)境(jing)噪聲(sheng)源(yuan)。

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該(gai)電(dian)路原理根本集成型在InGaP HBT工藝設備上：2μm的(de)散(san)發極間距，根據(ju)襯底和(he)高(gao)Q無源器件的(de)通孔。

它用(yong)無鉛漆層的安裝填料(liao)密封黑色(se)金屬淘(tao)瓷6x6mm2封裝形式。它以(yi)適用(yong)RoHS的SMD封口給出(chu)。