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CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管
比較重要規格

CHZ015AaQEG  內部(bu)匹配(pei)的GAN功率晶(jing)體管

頻射傳輸速率(GHz): 1.2-1.4小數據信號增加收益(dB):16熱效率(W):15相應的增加收益(dB): > 14P-1dB輸出的(dBm):-PAE(%): > 55定購貨期:3-4周

品牌:UMS微波

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CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為(wei)L股(gu)票波段的各種各樣的RF輸出功率用(yong)供(gong)給了寬帶(dai)網絡(luo)解(jie)決方(fang)案范文。該電路設計(ji)無比比較(jiao)合適脈(mo)沖(chong)造成的雷(lei)達(da)探測用(yong)。

CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長(chang)的GaN HEMT施工(gong)工(gong)藝(yi)上入憲的。它(ta)應用于準MMIC技術水(shui)平。

它以符合國家RoHS的SMD打包封裝提高。