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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

注重運作

CHZ180AaSEB 內部匹(pi)配(pei)的GAN功率晶體(ti)管

頻射服務器帶寬（GHz）： 1.2-1.4小訊號增益控制（dB）：20耗油率（W）：200對應增益控制（dB）： > 14P-1dB內容輸出（dBm）：-PAE（％）： 52訂購交貨期：3-4周

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CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

十(shi)分適當脈沖發(fa)生(sheng)器(qi)統計應用。

CHZ180AaSEB是(shi)在0.5μm柵長的(de)GaN HEMT工藝(yi)設備上(shang)要求的(de)。它對于(yu)準(zhun)MMIC技(ji)木(mu)。

它適用封口蝶閥法蘭衛浴陶瓷(ci)輕金屬(shu)電源模塊封裝，可展示(shi)低(di)寄生菌和低(di)導熱(re)系數。