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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管
至關重要基本參數

CHK8101a99F  氮化鎵功率(lv)晶體管

Glin(dB)@頻帶寬度(GHz): 14 @ 6事業平率(GHz):多6個飽滿額定功率(W):  20PAE(%)@頻段(GHz): 60 @ 6定購交貨期:3-4周

品牌:UMS微波

成品商品詳情詳細介紹

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該軟件為聲納和聯通寬帶網等多種(zhong)RF供電app提拱公(gong)用和寬帶網滿足情(qing)況報告。

它是鑒于(yu)SiC襯(chen)底(di)上的(de)(de)0.5μm柵長GaN HEMT水平激發(fa)的(de)(de),有時(shi)候特殊達到RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制臺命令的(de)(de)標準規定(ding)。

它以裸處(chu)理器(qi)結構類(lei)型提交,還(huan)要(yao)求表面匹(pi)配好三極管(guan)。