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所述CHA3666-FAB是(shi)二(er)級(ji)自偏置寬頻(pin)帶寬度單支低躁音增(zeng)加器。

該電(dian)路原理應用(yong)標(biao)準規范的pHEMT新工藝加工制(zhi)造：柵極(ji)尺寸0.25μm，用(yong)的基板的通孔(kong)，氧氣橋(qiao)和光電(dian)束(shu)柵星空刻。

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該(gai)電路體系轉用于(yu)太空飛船利用，也如此適宜(yi)各(ge)(ge)種各(ge)(ge)樣(yang)的(de)微波(bo)通信和亳米波(bo)利用和體系。