CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該(gai)控制電路完成規(gui)范(fan)標準(zhun)的pHEMT加工(gong)過程生產制造:柵極長寬0.25μm,完成基(ji)材(cai)的通孔,的空氣橋和光電子束柵幻影刻。
徽波元元件
CHA3666-99F 放大器(qi)– LNA
rf射頻上行寬帶(GHZ): 6 - 17增益控制(dB):21收獲同軸度(dB):0.5燥音標準值(dB):1.8P-1dB打印輸出(dBm):17定貨交貨期:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該(gai)控制電路完成規(gui)范(fan)標準(zhun)的pHEMT加工(gong)過程生產制造:柵極長寬0.25μm,完成基(ji)材(cai)的通孔,的空氣橋和光電子束柵幻影刻。