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法蘭電阻

根本參數指標

法蘭片電(dian)容(rong),是非常高(gao)的800瓦，是非常高(gao)的4 GHz

Powerfilm卡箍(gu)電阻功(gong)率(lv)值(zhi)熱(re)(re)效(xiao)(xiao)率(lv)器(qi)用作發電量機，衰減(jian)器(qi)或帶狀(zhuang)線(xian)與(yu)微帶線(xian)混合式。相對于頻點自由高達hg4 GHz，熱(re)(re)效(xiao)(xiao)率(lv)級(ji)別(bie)自由高達hg800瓦特(te)的電阻功(gong)率(lv)值(zhi)熱(re)(re)效(xiao)(xiao)率(lv)，電阻功(gong)率(lv)值(zhi)熱(re)(re)效(xiao)(xiao)率(lv)值(zhi)超范圍從5到(dao)(dao)300歐(ou)姆，公差(cha)從1％到(dao)(dao)5％。卡箍(gu)寸尺從0.3“ x0.2”到(dao)(dao)1.9“ x1.0”相等。其他開發可通過(guo)規定出示。

品牌：MACOM

企業產品詳情頁詳細介紹

法蘭電阻

Model	Power	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)	Figure
ANR1250-400	400	1.0	AlN	Thin	1.250	0.500	0.170	3
ANR1900-600	600	0.5	AlN	Thin	1.900	1.040	0.190	4
	10	4.0	AlN	Thin	0.300	0.200	0.105	1
	25	4.0	AlN	Thin	0.300	0.200	0.105	1
	40	2.5	AlN	Thin	0.300	0.200	0.125	2
	80	1.0	AlN	Thin	0.300	0.200	0.125	2
ANR800-100	100	3.0	AlN	Thin	0.300	0.200	0.105	3
ANR870-150	150	3.0	AlN	Thin	0.300	0.200	0.105	3
	200	1.0	AlN	Thin	0.300	0.200	0.170	3
	400	0.5	BeO	Thin	1.250	0.500	0.170	3
PPR1250-650	650	0.5	BeO	Thin	1.250	0.500	0.170	3
	800	0.4	BeO	Thin	1.900	1.040	0.190	4
PPR300-20	20	4.0	BeO	Thin	0.300	0.200	0.105	1
	50	4.0	BeO	Thin	0.300	0.200	0.105	1
PPR515-125	125	2.5	BeO	Thin	0.515	0.250	0.105	2
PPR515-20-3	20	2.0	BeO	Thin	0.515	0.250	0.125	2
PPR515-30-4	30	2.5	BeO	Thin	0.515	0.250	0.105	2
PPR515-80	80	2.0	BeO	Thin	0.515	0.250	0.125	2
PPR800-40-3	40	4.0	BeO	Thin	0.800	0.230	0.105	3
	150	1.0	BeO	Thin	0.870	0.250	0.105	3
PPR870-250	250	1.0	BeO	Thin	0.870	0.375	0.105	3
	250	1.0	BeO	Thin	0.975	0.375	0.170	3