AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI國產的1要素。HiFET是中用高壓力、大耗油率和聯通寬帶應用的部位連接電子元件配備。該部位的總電子元件周圍為1毫米左右(2個0.5亳米電容串聯場邊際效應氯化鈉晶體管)。AM005WH2-BI-R專為高瓦數微波通信運用而規劃,事情幾率可達到12GHz。它也是挺大工作電壓設施的理想的win7驅動步驟。BI產品系列主要包括異常設計制作的瓷器封裝,主要包括鑲入式按裝手段,有彎折(BI-G)或直(BI)電纜線。二極管封裝下端的法蘭片一并重復使用交流電接地裝置保護、rf射頻接地裝置保護和熱過道。此這部分符合要求RoHS。
特點
高達(da)mg12GHz的高頻率實操
高(gao)增益值和高(gao)電機功率,P1dB=26 dBm@3.5 GHz
外表貼裝
更有效水(shui)冷的低層(ceng)
利用
無線路由本(ben)機環鐵路網(wang)絡
蜂窩無限(xian)電安全可靠(kao)
WLAN、中繼(ji)器(qi)和超的(de)局域網(wang)
Ck線VSAT
雷達天線
中文名字
紅外光元功率器件