AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI類型的一臺分。HiFET就是種區域切換的申請機器機 硬件配置,采用低壓、大電率、高曲線和聯通寬帶用途。該元件的總機器機 周邊為4公分。AM010MH4-BI-R專為高本職工作功率徽波適用而裝修設計,本職工作頻點達到了3GHz。BI品類用于非常規設汁的淘瓷封裝形式,彎度或平直的引線和法蘭片盤用于插入圖式使用措施。內包裝底端的法蘭片盤而且身為直流電源地線、rf射頻地線和熱節點。這類HiFET遵循RoHS標準單位。
顯著特點
28V漏極(ji)偏壓
光(guang)纖(xian)寬(kuan)帶組(zu)成部分配比(bi):DC–2.4GHz
多達3 GHz的低(di)頻操(cao)作流程
高增益(yi)值:G=19dB@2.0GHz
高工作功率(lv):P1dB=31dBm@2.0GHz
高波形:IP3=46dBm@2.0GHz
有效的(de)蒸發(fa)器的(de)淘瓷(ci)外包裝(zhuang)
APP
聯(lian)通寬帶APP
直(zhi)流高壓20至28V
wlan網(wang)上環道路絡
PC通信基站
WLAN、中繼器和超無(wu)線(xian)局(ju)域(yu)網
C中波(bo)段(duan)VSAT
飛機維修電子網絡(luo)通信
英文版
紅外光元器材