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發(fa)表用時(shi):2022-07-12 17:00:04     看:1556

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過功率特(te)性基于應用低電壓側(ce)MOSFET導(dao)通(tong)電阻器RDS(on)來(lai)查(cha)重(zhong)電流(liu)值,導(dao)致得到得到保(bao)障(zhang)(zhang)(zhang)變流(liu)器免受發生故(gu)障(zhang)(zhang)(zhang)模擬輸(shu)出(chu)的應響。打斷得到得到保(bao)障(zhang)(zhang)(zhang)后,MPN12AD20-TS上線打嗝格局。故(gu)障(zhang)(zhang)(zhang)問題排(pai)出(chu)后,MPN12AD20-TS工(gong)作上正(zheng)常人。

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