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GaAsFET（砷化鎵場效應(ying)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)）是(shi)高頻、超高頻、微波(bo)無線(xian)電(dian)頻下功放電(dian)路(lu)的場效應(ying)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)。GaAsFET憑借(jie)其靈敏性而舉(ju)世聞(wen)名(ming)，其形成的內(nei)部噪聲(sheng)極(ji)少。這主要是(shi)由于(yu)砷化鎵擁有與(yu)眾不同的載流(liu)子(zi)遷移率。電(dian)子(zi)特別容易(yi)通(tong)過半導體(ti)(ti)材(cai)料。GaAsFET是(shi)一款耗(hao)盡(jin)型(xing)機(ji)械設(she)備(bei)，這就代表著當在(zai)(zai)操縱電(dian)極(ji)門沒有電(dian)壓(ya)時(shi)它便(bian)會(hui)導電(dian)，當在(zai)(zai)門側產生電(dian)壓(ya)時(shi)信(xin)道傳導率便(bian)會(hui)降低(di)。在(zai)(zai)弱數據信(xin)號(hao)無線(xian)通(tong)信(xin)和廣(guang)播接收中，GaAsFET優于(yu)其他類(lei)型(xing)的場效晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)。

LINEAR供(gong)應了完美性的電(dian)動車充電(dian)泵(beng)DC-DC三相調壓器(qi)的產(chan)品，特意(yi)適(shi)于(yu)能夠滿足有所作為GaAsFET偏置進行器(qi)。

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